IFTINFO – Global Galaxy S23 FE présentera Exynos 2200, la version américaine recevra le Snapdragon 8+ Gen 1 laissez un commentaire

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Le Samsung Galaxy S23 FE arrive au troisième trimestre de cette année en tant que membre incontournable de la série Galaxy S23, mais il semble qu’il ne sera pas uni autour du même chipset à l’échelle mondiale. Les exécutions de Geekbench et les pages d’assistance officielles révèlent que le Galaxy S23 FE exécutera différents chipsets, selon le marché. La variante globale transportera l’Exynos 2200 4 nm avec 8 Go de RAM. Il s’agit du même chipset que le Galaxy S22 Ultra et celui qui est critiqué pour être moins économe en énergie que son homologue fabriqué par Qualcomm. La principale raison de la disparité d’efficacité serait le processus de fabrication 4 nm de Samsung, qui n’était pas aussi efficace que le processus 4 nm de TSMC. Soit dit en passant, la variante américaine du Galaxy S23 FE sera basée exactement sur ce nœud TSMC 4 nm grâce au chipset Snapdragon 8+ Gen 1. Il sera également associé à 8 Go de RAM. Qualcomm est généralement perçu comme le meilleur choix, à tel point que Samsung a même dévoilé un Galaxy S21 FE alimenté par Snapdragon 888 en Inde cette semaine. Le Samsung Galaxy S23 FE américain Au-delà des chipsets, le Galaxy S23 FE aura un écran AMOLED de 6,4 pouces à 120 Hz, une batterie de 4 500 mAh avec une charge de 25 W et un appareil photo principal de 50 MP. Source

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