IFTINFO – Samsung annonce la première DRAM DDR5 de classe 12 nm laissez un commentaire


Samsung a annoncé aujourd’hui une version mise à jour de sa DRAM DDR5 de 16 Go. La mémoire est construite sur la technologie de traitement de classe 12 nm, mise à niveau du produit EUV 14 nm actuellement sur le marché. La nouvelle DRAM DDR5 a également été annoncée comme étant compatible avec les produits AMD – elle a été optimisée et validée sur les plateformes Zen. Jooyoung Lee, EVP of DRAM Product & Technology chez Samsung, a déclaré que la nouvelle norme serait un catalyseur clé pour favoriser l’adoption de la DDR5 DRAM à l’échelle du marché. Il est fabriqué à l’aide d’un nouveau matériau qui augmente la capacité des cellules et d’une technologie de conception exclusive qui améliore les caractéristiques critiques du circuit. La nouvelle DRAM est basée sur la lithographie EUV (ultraviolet extrême), permettant une densité de matrice plus élevée et une productivité de tranche supérieure de 20 %. Il consomme également 23 % d’énergie en moins, ouvrant la voie à de meilleures opérations respectueuses de l’environnement parmi les entreprises informatiques. Les premières clés USB avec la nouvelle DRAM DDR5 devraient commencer à être expédiées en 2023. Source

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