IFTINFO – Samsung célèbre la première livraison de puces Gate-All-Around 3 nm laissez un commentaire

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Samsung a commencé la fabrication de puces en utilisant le processus Gate-All-Around (GAA) de 3 nm le mois dernier et a organisé aujourd’hui une cérémonie pour célébrer la première expédition de ces puces. La cérémonie a réuni une centaine de personnes, dont des dirigeants et employés d’entreprises, des PDG d’entreprises souhaitant utiliser la nouvelle technologie, ainsi que Lee Chang-yang, ministre du Commerce, de l’Industrie et de l’Énergie, qui s’est engagé à soutenir l’écosystème des semi-conducteurs du pays. De gauche à droite : le PDG de Samsung Electronics, le ministre Lee Chang-yang et le PDG de la division Fonderie de Samsung Samsung Electronics a commencé à rechercher des transistors GAA au début des années 2000 et à expérimenter la conception en 2017. Il est maintenant prêt à produire en masse des puces en utilisant le nouveau procédé. Par rapport à la conception FinFET, qui est la norme depuis plusieurs années, la conception Gate-All-Around permet aux transistors de transporter plus de courant tout en restant relativement petits. Selon Samsung, les puces GAA 3 nm utiliseront 45 % moins d’énergie, seront 23 % plus rapides et 16 % plus petites par rapport à une puce FinFET 5 nm similaire. Il s’agit de la première génération du processus GAA. Soit dit en passant, la génération 2 améliorera encore ces mesures. L’évolution des transistors FET – Samsung utilise la conception MBCFET pour ses puces 3 nm Samsung ne dit pas quel type de puces ont été stockées pour la première livraison, mais la société prévoit de développer des chipsets pour smartphones utilisant la conception GAA 3 nm. TSMC commencera également la fabrication en série de puces 3 nm plus tard cette année, bien qu’ils utiliseront toujours la conception FinFET – la société passera à GAAFET avec la transition vers un nœud 2 nm. Source (en coréen) | Passant par

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